Производитель Номер продукта:
IRF6623TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6623TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 20 V 16A (Ta), 55A (Tc) 1.4W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Инвентаризация:
8615 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12806062
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
CY9P
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6623TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Ta), 55A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1360 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ ST
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric ST
Базовый номер продукта
IRF6623
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,800
Другие названия
IRF6623TRPBFCT
IRF6623TRPBFTR
SP001526818
IRF6623TRPBFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLML5203
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
IRFB3077PBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
IPU50R3K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
