IRF6633ATR1PBF
Производитель Номер продукта:

IRF6633ATR1PBF

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRF6633ATR1PBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 20 V 16A (Ta), 69A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MU

Инвентаризация:

12804130
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF6633ATR1PBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Ta), 69A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1410 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MU
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MU

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001528328
IRF6633ATR1PBFTR
IRF6633ATR1PBFDKR
IRF6633ATR1PBFCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRFS17N20DTRL

MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

infineon-technologies

IRF3704PBF

MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB

infineon-technologies

IRF6609TR1PBF

MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

infineon-technologies

IPD30N06S2L-13

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3