Производитель Номер продукта:
IRF6668TR1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6668TR1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Подробное описание:
N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Инвентаризация:
12804498
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6668TR1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.9V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1320 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MZ
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MZ
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF6668TRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
International Rectifier
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
59676
Номер части
IRF6668TRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.86
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF3315STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
IRFH8334TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
IRF2807STRRPBF
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
