Производитель Номер продукта:
IRF6711STR1PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6711STR1PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 25 V 19A (Ta), 84A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Инвентаризация:
12805867
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6711STR1PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Ta), 84A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1810 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ SQ
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric SQ
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001527012
IRF6711STR1PBFTR
IRF6711STR1PBFCT
IRF6711STR1PBFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF6711STRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
International Rectifier
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4800
Номер части
IRF6711STRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.81
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLR120NPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
IRFZ44ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
IPA80R750P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
