Производитель Номер продукта:
IRF6714MTR1PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6714MTR1PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 166A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Инвентаризация:
12806292
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6714MTR1PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Ta), 166A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3890 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MX
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MX
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IRF6714MTR1PBFCT
IRF6714MTR1PBFTR
SP001526994
IRF6714MTR1PBFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF2204SPBF
MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
SPW07N60CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO247-3
IRF7702TR
MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP
