Производитель Номер продукта:
IRF6716MTR1PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6716MTR1PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 180A (Tc) 3.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Инвентаризация:
12813566
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6716MTR1PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
39A (Ta), 180A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
59 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5150 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.6W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MX
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MX
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IRF6716MTR1PBF-DG
IRF6716MTR1PBFDKR
IRF6716MTR1PBFTR
SP001532376
IRF6716MTR1PBFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS4115PBF
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
IRLL2703TR
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
IRF540NSPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
