Производитель Номер продукта:
IRF6785MTR1PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6785MTR1PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 200 V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Инвентаризация:
12802837
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6785MTR1PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MZ
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MZ
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IRF6785MTR1PBFTR
IRF6785MTR1PBFDKR
SP001574770
IRF6785MTR1PBFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF6785MTRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
9600
Номер части
IRF6785MTRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.31
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR3704ZTRLPBF
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
IRFB7430GPBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
BSP372NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4