Производитель Номер продукта:
IRF6892STR1PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6892STR1PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 28A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 25 V 28A (Ta), 125A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ S3C
Инвентаризация:
12808615
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6892STR1PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2510 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ S3C
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric S3C
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IRF6892STR1PBFDKR
SP001526954
IRF6892STR1PBFCT
IRF6892STR1PBFTR
IRF6892STR1PBF-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLR024ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
IRFIZ48NPBF
MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB FP
IXFT6N100F
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
