Производитель Номер продукта:
IRF6894MTR1PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6894MTR1PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 2.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Инвентаризация:
12802643
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6894MTR1PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Ta), 160A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4160 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Body)
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 54W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MX
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MX
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IRF6894MTR1PBFCT
IRF6894MTR1PBFTR
IRF6894MTR1PBFDKR
SP001528268
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF200B211
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
IPP65R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
BSC0901NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
