Производитель Номер продукта:
IRF7338PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF7338PBF-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Подробное описание:
Mosfet Array 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
12804266
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF7338PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.3A, 3A
Rds On (макс.) @ id, vgs
34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
640pF @ 9V
Мощность - Макс
2W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SO
Базовый номер продукта
IRF733
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
95
Другие названия
SP001565278
*IRF7338PBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7103PBF
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
IRF7901D1
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
IRF7555TR
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8