Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRF7343TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF7343TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Подробное описание:
Mosfet Array 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
18654 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12823713
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
G
F
I
C
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF7343TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.7A, 3.4A
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
740pF @ 25V
Мощность - Макс
2W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SO
Базовый номер продукта
IRF734
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IRF7343TRPBF
HTML Спецификация
IRF7343TRPBF-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
SP001565516
IRF7343PBFCT
IRF7343PBFTR
*IRF7343TRPBF
IRF7343PBFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
GWM180-004X2-SLSAM
MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
MCCD2005-TP
MOSFET 2N-CH 20V 8A 6DFN
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
2N7002KDW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363