IRF7473PBF
Производитель Номер продукта:

IRF7473PBF

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRF7473PBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 100 V 6.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Инвентаризация:

12802770
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF7473PBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3180 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
95
Другие названия
SP001572110

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
FDS3572
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6770
Номер части
FDS3572-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.63
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPD380P06NMATMA1

MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3

infineon-technologies

IPD040N03LGBTMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31

infineon-technologies

IPA60R385CPXKSA1

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP

infineon-technologies

IPD05N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3