Производитель Номер продукта:
IRF7665S2TR1PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF7665S2TR1PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 100 V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DIRECTFET SB
Инвентаризация:
12806379
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF7665S2TR1PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
62mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
515 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 30W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET SB
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric SB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001577506
IRF7665S2TR1PBFDKR
IRF7665S2TR1PBFCT
IRF7665S2TR1PBFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPP80N06S2-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRLR7833TRL
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
IRFR4104TRR
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
