IRF7701
Производитель Номер продукта:

IRF7701

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRF7701-DG

Описание:

MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
Подробное описание:
P-Channel 12 V 10A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Инвентаризация:

12803522
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF7701 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5050 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSSOP
Упаковка / Чехол
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
100

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRF7463TR

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

infineon-technologies

IPDD60R102G7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10

infineon-technologies

IPB160N04S203ATMA4

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

infineon-technologies

IPB60R120P7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK