Производитель Номер продукта:
IRF7759L2TR1PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF7759L2TR1PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 75 V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Инвентаризация:
12804688
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF7759L2TR1PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
26A (Ta), 375A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12222 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DirectFET™ Isometric L8
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric L8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IRF7759L2TR1PBFCT
IRF7759L2TR1PBFDKR
SP001566426
IRF7759L2TR1PBFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPW50R299CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
IRFR4620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
IRF9321PBF
MOSFET P-CH 30V 15A 8SO