Производитель Номер продукта:
IRF7779L2TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF7779L2TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 150 V 67A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Инвентаризация:
4142 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803615
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF7779L2TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6660 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DirectFET™ Isometric L8
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric L8
Базовый номер продукта
IRF7779
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
IRF7779L2TRPBFTR
IRF7779L2TRPBFDKR
IRF7779L2TRPBF-DG
SP001572314
IRF7779L2TRPBFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFSL4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO262
IRFU3518-701PBF
MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
IPB081N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK