Производитель Номер продукта:
IRF7855PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF7855PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 60 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
12822717
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF7855PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.9V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1560 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
95
Другие названия
2156-IRF7855PBF-IT
IFEINFIRF7855PBF
SP001575224
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDS5672
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5013
Номер части
FDS5672-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.64
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLR3410TRPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
IRF540NL
MOSFET N-CH 100V 33A TO262
IRFB4115PBF
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
