Производитель Номер продукта:
IRF8302MTR1PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF8302MTR1PBF-DG
Описание:
MOSFET N CH 30V 31A MX
Подробное описание:
N-Channel 30 V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Инвентаризация:
12804391
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF8302MTR1PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Ta), 190A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6030 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MX
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MX
Базовый номер продукта
IRF8302
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IRF8302MTR1PBFCT
IRF8302MTR1PBFDKR
IRF8302MTR1PBFTR
SP001566576
IRF8302MTR1PBF-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP60R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
IPI65R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
IRFR2407TRL
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
