Производитель Номер продукта:
IRF830PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF830PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12806499
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF830PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
610 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
74W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRF830
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001560108
448-IRF830PBF
2156-IRF830PBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF830PBF-BE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3320
Номер части
IRF830PBF-BE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.53
Тип замещения
Direct
Номер детали
IRF830PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
9086
Номер части
IRF830PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.53
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS4410TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
IRFB4410
MOSFET N-CH 100V 96A TO220AB
SPA11N60C3IN
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3-31
