Производитель Номер продукта:
IRF9910TR
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF9910TR-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
12815832
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF9910TR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A, 12A
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.55V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
900pF @ 10V
Мощность - Макс
2W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SO
Базовый номер продукта
IRF99
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CSD87335Q3D
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
TPS1120D
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
IRF9358PBF
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
