IRF9956TRPBFXTMA1
Производитель Номер продукта:

IRF9956TRPBFXTMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRF9956TRPBFXTMA1-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8DSO-902
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 3.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-902

Инвентаризация:

13000581
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF9956TRPBFXTMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel
Функция полевых транзисторов
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
190pF @ 15V
Мощность - Макс
2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
PG-DSO-8-902

Дополнительная информация

Стандартный пакет
4,000
Другие названия
SP005876297
448-IRF9956TRPBFXTMA1TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMT4015LDV-7

MOSFET 2N-CH 40V 7.8A PWRDI3333

diodes

DMN2041UVT-13

MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26

diodes

DMN3055LFDBQ-13

MOSFET 2N-CH 30V 5A 6UDFN

diodes

DMC2025UFDBQ-7

MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6UDFN