Производитель Номер продукта:
IRF9Z34NLPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF9Z34NLPBF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Подробное описание:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентаризация:
12805099
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF9Z34NLPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
620 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001570616
*IRF9Z34NLPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF3415PBF
MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
IPSA70R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3
IRF3706
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
