Производитель Номер продукта:
IRFB3077PBFXKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFB3077PBFXKMA1-DG
Описание:
TRENCH 40<-<100V
Подробное описание:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904
Инвентаризация:
13269178
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFB3077PBFXKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9400 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
370W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-904
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP005732682
448-IRFB3077PBFXKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IAUC120N04S6N008ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
IPB70N10S312ATMA2
MOSFET_(75V 120V(
IRFH5053TRPBFXUMA1
TRENCH >=100V