Производитель Номер продукта:
IRFB4020PBFXKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFB4020PBFXKMA1-DG
Описание:
TRENCH >=100V
Подробное описание:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904
Инвентаризация:
13269103
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFB4020PBFXKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.9V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-904
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IRFB4020PBFXKMA1
SP005826517
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMPH4016SK3Q-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
DMN3066LVT-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
IMZA75R027M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET