Производитель Номер продукта:
IRFB4137PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFB4137PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 300V 38A TO220
Подробное описание:
N-Channel 300 V 38A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
1015 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12807366
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFB4137PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
69mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5168 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
341W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRFB4137
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001554580
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPD07N60C3
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IRLIZ24NPBF
MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP
IRL2910STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
