Производитель Номер продукта:
IRFB4229PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFB4229PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
993 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804116
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFB4229PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4560 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
330W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRFB4229
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001565910
2156-IRFB4229PBF
IFEINFIRFB4229PBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
IPA60R450E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP
IPZ65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
