IRFC120NB
Производитель Номер продукта:

IRFC120NB

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRFC120NB-DG

Описание:

MOSFET 100V 9.4A DIE
Подробное описание:
100 V 9.4A Surface Mount Die

Инвентаризация:

12938506
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFC120NB Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
-
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.4A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
210mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Die
Упаковка / Чехол
Die

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
448-IRFC120NB

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nxp-semiconductors

PMPB85ENEA115

N-CHANNEL POWER MOSFET

micro-commercial-components

BSS84K-TP

MOSFET P-CH 60V 130MA SOT23

infineon-technologies

IRFCZ44VB

MOSFET 60V 55A DIE

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF66613L

MOSFET N-CH 60V 44.5A/90A TO220F