Производитель Номер продукта:
IRFH3707TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFH3707TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Подробное описание:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Инвентаризация:
7498 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804592
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFH3707TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Ta), 29A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.1 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
755 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (3x3)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
IRFH3707
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
IRFH3707TRPBFCT
SP001551876
IRFH3707TRPBF-DG
IRFH3707TRPBFDKR
IRFH3707TRPBFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB05N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPC100N04S5L1R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPD60R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3