Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRFH4210DTRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFH4210DTRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 44A PQFN
Подробное описание:
N-Channel 25 V 44A (Ta) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Инвентаризация:
1 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805229
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFH4210DTRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
44A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4812 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
IRFH4210
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IRFH4210DTRPBF
HTML Спецификация
IRFH4210DTRPBF-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
2156-IRFH4210DTRPBF-448
SP001575718
IRFH4210DTRPBFDKR
IRFH4210DTRPBFCT
IRFH4210DTRPBFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP90R1K2C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
IRF7416QTRPBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
IRF7603TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
SPP08N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-3