Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRFH5006TR2PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFH5006TR2PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Подробное описание:
N-Channel 60 V 21A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12810795
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFH5006TR2PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4175 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IRFH5006TR2PBF
HTML Спецификация
IRFH5006TR2PBF-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
400
Другие названия
SP001551866
IRFH5006TR2PBFDKR
IRFH5006TR2PBFCT
IRFH5006TR2PBFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
CSD18531Q5AT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Texas Instruments
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2239
Номер части
CSD18531Q5AT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.80
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HCT7000M
MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD
HCT7000MTX
MOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD
R6024ENZC17
MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
R6030ENZC17
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF