Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRFH5020TR2PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFH5020TR2PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Подробное описание:
N-Channel 200 V 5.1A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13064169
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFH5020TR2PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
-
Упаковка
Cut Tape (CT)
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
55mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2290 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IRFH5020TR2PBF
HTML Спецификация
IRFH5020TR2PBF-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
400
Другие названия
SP001556316
IRFH5020TR2PBFCT
IRFH5020TR2PBFDKR
IRFH5020TR2PBFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TPH6400ENH,L1Q
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
17990
Номер части
TPH6400ENH,L1Q-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.65
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPU07N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
IRF6628TRPBF
MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
IPP114N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3
IRFR3710ZTRR
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK