Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRFH5210TR2PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFH5210TR2PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
Подробное описание:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 55A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12818599
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFH5210TR2PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
14.9mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2570 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IRFH5210TR2PBF
HTML Спецификация
IRFH5210TR2PBF-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
400
Другие названия
IRFH5210TR2PBFCT
IRFH5210TR2PBFTR
SP001556356
IRFH5210TR2PBFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TPH12008NH,L1Q
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5000
Номер части
TPH12008NH,L1Q-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.35
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STL60N10F7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2720
Номер части
STL60N10F7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.51
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
DMT10H015LFG-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
37130
Номер части
DMT10H015LFG-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.37
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF540ZSTRL
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
IPP024N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IRF6713STRPBF
MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
IRFIZ24NPBF
MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP