Производитель Номер продукта:
IRFH8311TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFH8311TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Подробное описание:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 169A (Tc) 3.6W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Инвентаризация:
48418 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801336
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFH8311TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Ta), 169A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4960 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.6W (Ta), 96W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-TQFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
IRFH8311
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
IRFH8311TRPBFDKR
IRFH8311TRPBFCT
IRFH8311TRPBFTR
SP001564136
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI65R190CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
IPW60R031CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
IPD60R380E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3