Производитель Номер продукта:
IRFHM830TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFHM830TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Подробное описание:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Инвентаризация:
8408 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804851
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFHM830TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2155 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
IRFHM830
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
IRFHM830TRPBF-DG
IRFHM830TRPBFTR
SP001566782
IRFHM830TRPBFDKR
IRFHM830TRPBFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD60R600P6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IRFR3711TRPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
IPP65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
