Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRFI4212H-117PXKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFI4212H-117PXKMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 11A (Tc) 18W (Tc) Through Hole TO-220-5 Full-Pak
Инвентаризация:
941 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12983286
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFI4212H-117PXKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
490pF @ 50V
Мощность - Макс
18W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Комплект устройства поставщика
TO-220-5 Full-Pak
Базовый номер продукта
IRFI4212
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IRFI4212H-117PXKMA1
HTML Спецификация
IRFI4212H-117PXKMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
448-IRFI4212H-117PXKMA1
SP005547285
2156-IRFI4212H-117PXKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
QH8JC5TCR
MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
SQJB44EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
G4953S
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
IAUC60N04S6L045HATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON