IRFI4212H-117PXKMA1
Производитель Номер продукта:

IRFI4212H-117PXKMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRFI4212H-117PXKMA1-DG

Описание:

MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 11A (Tc) 18W (Tc) Through Hole TO-220-5 Full-Pak

Инвентаризация:

941 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12983286
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFI4212H-117PXKMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
490pF @ 50V
Мощность - Макс
18W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Комплект устройства поставщика
TO-220-5 Full-Pak
Базовый номер продукта
IRFI4212

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
448-IRFI4212H-117PXKMA1
SP005547285
2156-IRFI4212H-117PXKMA1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
rohm-semi

QH8JC5TCR

MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8

vishay-siliconix

SQJB44EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8

goford-semiconductor

G4953S

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP

infineon-technologies

IAUC60N04S6L045HATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON