Производитель Номер продукта:
IRFP3710PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFP3710PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
13987 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804660
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFP3710PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IRFP3710
Технический паспорт и документы
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
64-6014PBF
64-6014PBF-DG
2156-IRFP3710PBF
*IRFP3710PBF
SP001552026
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF6722MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
IRF5210LPBF
MOSFET P-CH 100V 38A TO262
IPP60R170CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
