IRFP4368PBFXKMA1
Производитель Номер продукта:

IRFP4368PBFXKMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRFP4368PBFXKMA1-DG

Описание:

TRENCH 40<-<100V
Подробное описание:
N-Channel 75 V 195A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC

Инвентаризация:

13269396
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFP4368PBFXKMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.85mOhm @ 195A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
19230 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3

Дополнительная информация

Стандартный пакет
400
Другие названия
448-IRFP4368PBFXKMA1
SP005732706

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99

Альтернативные модели

Номер детали
IRFP4368PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IRFP4368PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.21
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRF7465TRPBFXTMA1

PLANAR 40<-<100V

infineon-technologies

IMBG65R007M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

BSB028N06NN3GXUMA2

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IMW65R015M2HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET