Производитель Номер продукта:
IRFR1018ETRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFR1018ETRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Инвентаризация:
25604 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805003
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFR1018ETRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2290 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IRFR1018
Технический паспорт и документы
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
INFINFIRFR1018ETRPBF
2156-IRFR1018ETRPBF
IRFR1018ETRPBFDKR
IRFR1018ETRPBFCT
IRFR1018ETRPBFTR
SP001566962
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFPS3810
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
IRFS33N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
IRFZ44VZSPBF
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
