Производитель Номер продукта:
IRFR4105TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFR4105TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 55 V 27A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Инвентаризация:
7710 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12806368
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFR4105TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
45mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
700 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IRFR4105
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SP001567638
IRFR4105TRPBF-DG
IRFR4105PBFDKR
IRFR4105TRPBFTR-DG
IRFR4105PBFCT
*IRFR4105TRPBF
IRFR4105PBFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF6648TR1
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
IRF1704
MOSFET N-CH 40V 170A TO220AB
SIPC69N50C3X1SA2
MOSFET COOL MOS SAWED WAFER
