IRFSL3607PBF
Производитель Номер продукта:

IRFSL3607PBF

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRFSL3607PBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 75V 80A TO262
Подробное описание:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262

Инвентаризация:

12805291
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFSL3607PBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3070 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
140W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001565218

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRFR13N20DTRL

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

infineon-technologies

IRF3710PBF

MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB

infineon-technologies

IRF7433

MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO

infineon-technologies

IRF5803TR

MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6