Производитель Номер продукта:
IRFSL4510PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFSL4510PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 61A TO262
Подробное описание:
N-Channel 100 V 61A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентаризация:
12807486
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
HJ80
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFSL4510PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.9mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3180 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
140W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
2156-IRFSL4510PBF
SP001552374
IFEINFIRFSL4510PBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF3205SPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
SI4410DYPBF
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
IPW60R190P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
