Производитель Номер продукта:
IRFSL7730PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFSL7730PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Подробное описание:
N-Channel 75 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентаризация:
12818246
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFSL7730PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®, StrongIRFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
407 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
13660 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IRFSL7730
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
INFINFIRFSL7730PBF
SP001557668
2156-IRFSL7730PBFINF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
EPC2030
GANFET NCH 40V 31A DIE
IRFR024NTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IPN60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
