Производитель Номер продукта:
IRFSL7762PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFSL7762PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 75V 85A TO262
Подробное описание:
N-Channel 75 V 85A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентаризация:
54 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804110
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFSL7762PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®, StrongIRFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4440 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
140W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001576382
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPW60R125P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
IPD65R1K4C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3
IPS060N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
