IRFU3709
Производитель Номер продукта:

IRFU3709

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRFU3709-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 120W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Инвентаризация:

12804536
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFU3709 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2672 pF @ 16 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
120W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
IPAK (TO-251AA)
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
75
Другие названия
*IRFU3709

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPW65R110CFDFKSA2

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3

infineon-technologies

IPD78CN10NGBUMA1

MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

infineon-technologies

IRF3415L

MOSFET N-CH 150V 43A TO262

infineon-technologies

IRFR9120NPBF

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK