Производитель Номер продукта:
IRL3102PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRL3102PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12807310
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRL3102PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 7V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13mOhm @ 37A, 7V
Vgs(th) (Макс) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
58 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
89W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRL3102PBF
SP001576478
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR13N20DTR
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
IRF4104PBF
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
IRL8113S
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK