Производитель Номер продукта:
IRL3303S
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRL3303S-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 38A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
12807910
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRL3303S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
870 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRL3303S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPD02N50C3BTMA1
LOW POWER_LEGACY
IRLR8103TR
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
SPP04N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3