IRL3502PBF
Производитель Номер продукта:

IRL3502PBF

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRL3502PBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

12854653
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRL3502PBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 7V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 64A, 7V
Vgs(th) (Макс) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4700 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
140W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRL3502PBF
SP001568246

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

MTP52N06VLG

MOSFET PWR N-CH 60V 52A TO-220AB

onsemi

MCH6353-TL-W

MOSFET P-CH 12V 6A 6MCPH

onsemi

NTMFS4923NET3G

MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN

onsemi

NVTR01P02LT1G

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3