Производитель Номер продукта:
IRL520NSPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRL520NSPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
12806070
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRL520NSPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
440 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRL520NSPBF
SP001568426
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPL60R125C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
IPP120N06S403AKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IRFB3206GPBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
