Производитель Номер продукта:
IRLB3813PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRLB3813PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
5741 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12810582
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRLB3813PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
260A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.95mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
86 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8420 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
230W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRLB3813
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001558110
64-0084PBF
64-0084PBF-DG
2156-IRLB3813PBF
IFEINFIRLB3813PBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF6655TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
IRFR3103TR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
TP2640N3-G
MOSFET P-CH 400V 180MA TO92-3
