Производитель Номер продукта:
IRLMS2002TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRLMS2002TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Подробное описание:
N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Инвентаризация:
89338 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12806636
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRLMS2002TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1310 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Micro6™(SOT23-6)
Упаковка / Чехол
SOT-23-6
Базовый номер продукта
IRLMS2002
Технический паспорт и документы
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
*IRLMS2002TRPBF
2156-IRLMS2002TRPBF
SP001567202
IRLMS2002PBFDKR
IRLMS2002PBFCT
IRLMS2002PBFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPB02N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3
IRF8734TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
IRF7807VPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO